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多弧离子真空镀膜机
离子镀沉积源的设计应尽可能提高镀膜过程中的离化率,提高镀膜材料的利用率,合理匹配沉积源的功率,合理布置沉积源在真空室体的位置。
合理布置加热装置,一般加热器结构布局应使被镀工件温升均匀一样。
工件架应与真空室体绝缘,工件架的设计应使工件膜层均匀。
多弧离子真空镀膜设备一般应具有工件负偏压和离子轰击电源,离子轰击电源应具有抑制非正常放电装置,维持稳定。
真空室接不同电位的各部分间的绝缘电阻值的大小,均按相应的要求。
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