离子镀沉积源的设计应尽可能提高镀膜过程中的离化率，提高镀膜材料的利用率，合理匹配沉积源的功率，合理布置沉积源在真空室体的位置。
　　合理布置加热装置，一般加热器结构布局应使被镀工件温升均匀一样。
　　工件架应与真空室体绝缘，工件架的设计应使工件膜层均匀。
　　多弧离子真空镀膜设备一般应具有工件负偏压和离子轰击电源，离子轰击电源应具有抑制非正常放电装置，维持稳定。
　　真空室接不同电位的各部分间的绝缘电阻值的大小，均按相应的要求。